新華社成都12月4日電（記者吳曉穎）記者4日從電子科技大學獲悉，中國科學院院士、電子科技大學教授陳星弼因病醫(yī)治無效，于4日17時10分在成都逝世，享年89歲。
陳星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江。1952年從同濟大學電機系畢業(yè)后，他先后在廈門大學、東南大學和成都電訊工程學院（現(xiàn)電子科技大學）工作。1999年當選為中國科學院院士，2019年當選為國際電氣與電子工程師協(xié)會終身會士。
陳星弼是我國功率半導體領(lǐng)域的領(lǐng)路人和集大成者。他一生發(fā)表學術(shù)論文200余篇，獲得中美等國專利授權(quán)40余項。他是國際上首個提出超結(jié)耐壓層理論的科學家，他的超結(jié)發(fā)明專利打破傳統(tǒng)“硅極限”，被國際學術(shù)界譽為“高壓功率器件新的里程碑”。
陳星弼曾獲得國家技術(shù)發(fā)明獎、科技進步獎等諸多榮譽，2015年獲得IEEE ISPSD（國際功率半導體器件與集成電路年會）頒發(fā)的最高榮譽“國際功率半導體先驅(qū)獎”，成為亞太地區(qū)首位獲此殊榮的科學家。2018年入選IEEE ISPSD首屆名人堂，成為首位入選名人堂的華人科學家。
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